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cell制程专业术语？东芝emmc命名规则？

2024-03-22 06:25:30 文章来源 :网络 围观 : 次 评论

　　cell制程专业术语？

　　以下是与半导体制程相关的一些专业术语：

　　1. 晶圆（Wafer）：指半导体材料（如硅）经过切割和抛光后形成的圆片状基片。

　　2. 掩膜（Mask）：用于光刻工艺的模板，上面有各种图案，用于定义电路的结构和形状。

　　3. 光刻（Photolithography）：一种将图案转移到晶圆表面的制程步骤，通过使用掩膜和光刻胶，利用紫外光或激光照射，将图案投射到晶圆上。

　　4. 蚀刻（Etching）：通过化学或物理方法，将晶圆上不需要的材料层进行去除，以形成所需的电路结构。

　　5. 沉积（Deposition）：将材料层沉积到晶圆表面的过程，可以是化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）或其他方法。

　　6. 清洗（Cleaning）：在制程过程中，用化学溶液或其他方法清除晶圆表面的杂质和残留物。

　　7. 离子注入（Ion Implantation）：将离子束注入到晶圆表面，改变材料的电学特性，用于形成PN结或控制电阻率。

　　8. 退火（Annealing）：通过加热晶圆，使其材料重新结晶或恢复原有的晶格结构，以改善电学特性。

　　9. 金属化（Metallization）：在晶圆上涂覆金属层，用于连接电路元件和提供电路的导电路径。

　　这只是一小部分与半导体制程相关的专业术语，半导体制程涉及到众多复杂的工艺步骤和技术。如果你对特定的术语或制程步骤有更详细的问题，我可以为你提供更多信息。

　　东芝emmc命名规则？

　　命名规则：THGAF4G9N4LBAIR（UFS2.1，15nm，MLC）

　　字符1： T: "Toshiba" 东芝

　　字符2： H: "Multi-chip" 多芯片封装

　　字符3： G: Symbol of Type of flash type "IC" 集成电路

　　字符4： A: Symbol of "voltage type" 表示供电电压类型

　　字符5： F: NAND Interface type is "UFS" 闪存接口类型为UFS

　　字符6： 4: Unique code of controller revision 内置控制器版本为4

　　字符7： G: Memory density calculated by G bits 容量用G bits表示

　　字符8： 9: Memory density is 2^9=512G bits (64GB) 2的9次方，512G bits，即64GB

　　字符9： N: Symbol of "cell level" (cell technology) 架构为MLC

　　字符10： 4: Number of stacked chips is 4 封装内含堆叠芯片数为4

　　字符11： L: Symbol of "Design rule" 15nm (K for 19nm, J for 24nm) 制程为15nm

　　字符12-13： BA: Package type is BGA lead free and halogen free 无铅无卤素BGA封装

　　字符14： I: Symbol of Mode "industrial version" -25oC to 85oC 工业版本

　　字符15： R: Symbol of "Package size" 11.5mmx13mmx1.0mm 封装大小

　　其中，第9个字符与闪存架构有关：

　　1）SLC（Single-Level Cell）为S或H；

　　2）DLC（Dua-Level Cell）为D或E【不常见】；

　　3）TLC（Triple-Level Cell）为T或U；

　　4）MLC（Multi-Level Cell）为B、C、J、K、L、N 等。

　　

cell制程专业术语？东芝emmc命名规则？

　　

cell制程专业术语？东芝emmc命名规则？

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