SRAM和DRAM谁功耗大？S和D的区别？

　　SRAM和DRAM谁功耗大？

　　个人觉得还是从电路上来分析吧，SRAM的电路设计相当复杂，就算不需要刷新也是需要持续过电，而DRAM的电路设计就比较简单，而且其实DRAM还是比较难得出一个平均功耗。

　　SRAM和DRAM的区别？

　　以下是SRAM和DRAM的区别：

　　数据存储不同：SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失。

　　体积不同：相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM。

　　特点不同：SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，功耗较DRAM大，通常DRAM是有一个异步接口的，这样它可以随时响应控制输入的变化。

　　SRAM（Static Random-Access Memory）和DRAM（Dynamic Random-Access Memory）是计算机中两种常见的存储器类型。它们在工作原理、性能特征和应用领域上存在着明显的区别。下面将详细介绍SRAM和DRAM之间的区别。

　　

　　工作原理：

　　SRAM：SRAM是一种基于触发器的存储器，使用稳定的存储电路来存储和保持数据。每个存储单元由一个存储器单元和控制电路组成，其中存储器单元由多个触发器构成，能够存储比特数据。由于采用了触发器结构，SRAM在不断刷新的过程中保持数据的稳定性。

　　DRAM：DRAM是一种基于电容的存储器，使用电容来存储和表示数据。每个存储单元由一个电容和一个访问晶体管组成。电容在存储器中充电或放电来表示数据的0和1。由于电容会逐渐漏电，DRAM需要定期刷新以保持数据的正确性。

　　

　　存储密度：

　　SRAM：由于SRAM采用了稳定的存储电路，每个存储单元需要更多的晶体管来实现，因此SRAM的存储密度相对较低。每个存储单元通常需要6个晶体管。

　　DRAM：由于DRAM采用了电容存储结构，每个存储单元只需要一个电容和一个访问晶体管，因此DRAM的存储密度较高。每个存储单元通常只需要1个晶体管和1个电容。

　　刷新需求：

　　SRAM：由于SRAM的存储单元采用稳定的触发器结构，不需要进行定期刷新操作。数据可以一直保持稳定，无需周期性刷新。

　　DRAM：由于DRAM的电容逐渐漏电，数据需要定期刷新以保持其正确性。DRAM需要通过刷新操作周期性地重新写入数据，否则数据会丢失。

　　访问速度：

　　SRAM：SRAM的访问速度非常快，因为数据存储在触发器中，可以立即读取和写入。SRAM具有较低的访问延迟和高速的读写性能。

　　

　　DRAM：DRAM的访问速度相对较慢，因为数据存储在电容中，需要经过访问晶体管的操作。DRAM具有较高的访问延迟和相对较慢的读写性能。

　　SRAM和DRAM是两种常见的计算机存储器件。它们的区别如下：1. 在于存储方式和存储单元的构造。2. SRAM（静态随机存储器）使用触发器来存储数据，每个存储单元由6个晶体管构成。它的存储速度快，读写速度几乎相同，不需要刷新操作，但是占用的面积大，成本高。DRAM（动态随机存储器）使用电容器来存储数据，每个存储单元由一个电容器和一个访问晶体管构成。它的存储速度相对较慢，读写速度不同，需要定期刷新以保持数据的有效性，但是占用的面积小，成本低。3. SRAM和DRAM在计算机系统中扮演着不同的角色。由于SRAM的快速读写速度和稳定性，它常被用作高速缓存存储器，用于临时存储处理器需要频繁访问的数据。而DRAM则被广泛应用于主存储器，用于存储大量的数据，但其相对较慢的速度和需要刷新的特性限制了其在高性能应用中的使用。总之，主要在于存储方式和存储单元的构造，以及在计算机系统中的应用场景。

　　如下：

　　1. 存储单元：SRAM采用双稳态触发器，而DRAM采用MOS管与电容器。

　　2. 存储单元的排列：SRAM的存储单元是按行存储，而DRAM的存储单元是按列存储。

　　3. 访问速度：SRAM的访问速度比DRAM快。

　　4. 功耗：SRAM的功耗比DRAM低。

　　5. 容量：同样大小的SRAM和DRAM，DRAM的容量比SRAM大。

　　6. 价格：同样大小的SRAM比DRAM贵。